一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域。一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法，按照如下步骤进行，步骤一、第一次低温氧化；步骤二、第一次沉积；步骤三、第二次低温氧化；步骤四、第二次沉积和第一次推进；步骤五、第三次沉积和第二次推进。本发明通过低温氧化‑沉积‑低温氧化提高了峰值浓度，同时又不会造成晶格错位，然后再通过两次沉积和推进钝化电池表面，获得更佳的光电转化效率。