一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法

摘要

一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法，一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触，来调控和影响电子或空穴的注入速率和相对比例，从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1-10nm进行铝掺杂，掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1-10∶1。由于铝掺杂，器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中，进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。