首页> 中国专利> 一种纳米碳化硅/P型硅锗合金基热电复合材料及其制备方法

一种纳米碳化硅/P型硅锗合金基热电复合材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米碳化硅/P型硅锗合金基热电复合材料及其制备方法,所述热电复合材料由P型硅锗合金和均匀分散在P型硅锗合金的晶界上和/或晶粒内部的纳米碳化硅颗粒两相组成,所述P型硅锗合金化学式为Si80Ge20Bx,其中x的取值范围为0.2≤x≤2.0,所述纳米碳化硅颗粒的体积百分含量为P型硅锗合金的0.3~2.0%。本发明采用上述方法将纳米碳化硅与P型硅锗合金进行复合,制备的热电复合材料在保持功率因子变化不大的前提下,可显著降低材料的晶格热导率,进而在整个温区范围内提高材料的热电性能。此外,本发明提供的制备方法简单、快速、原料利用率高,具有良好的产业化前景。

著录项

  • 公开/公告号CN107123729B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201610104599.2

  • 申请日2016-02-25

  • 分类号H01L35/14(20060101);H01L35/34(20060101);

  • 代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹芳玲;郑优丽

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 10:43:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-19

    授权

    授权

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L35/14 申请日:20160225

    实质审查的生效

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/14 申请日:20160225

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    公开

    公开

  • 2017-09-01

    公开

    公开

  • 2017-09-01

    公开

    公开

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