无电容单一晶体管动态随机存取存储器单元及制造方法

摘要

一种节省空间的无电容单一晶体管动态随机存取储存器单元，其生产方式具有成本效益，且可用于制造储存器单元控制。在一介电质填充沟渠(4)的侧壁上，垂直安置沟道区(11)与源极-漏极区(9、10)。在其对立侧，半导体材料由栅极介电质(18)和置于该半导体材料切口的栅电极(16)限定。一存储器单元阵列包括多个垂直定向的条带型半导体区，其中在其顶部与底部注入源极-漏极区，而嵌入四周绝缘材料中的沟道区则在二者之间，用作一浮体。