首页> 中国专利> 一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO

一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

发明涉及一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO

著录项

公开/公告号CN107817279B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人东北大学;
展开▼

申请/专利号CN201710897155.3
发明设计人沈岩柏;赵思凯;李停停;李国栋;魏德洲;高淑玲;韩聪;
展开▼

申请日2017-09-28
分类号
代理机构大连东方专利代理有限责任公司;
代理人李娜
地址 110169 辽宁省沈阳市浑南区创新路195号
入库时间 2022-08-23 10:42:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-29

授权

授权
2018-07-24

著录事项变更 IPC(主分类):G01N 27/12 变更前: 变更后: 申请日:20170928

著录事项变更
2018-07-24

著录事项变更 IPC(主分类):G01N 27/12 变更前: 变更后: 申请日:20170928

著录事项变更
2018-04-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/12 申请日:20170928

实质审查的生效
2018-04-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/12 申请日:20170928

实质审查的生效
2018-04-13

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20170928

实质审查的生效
2018-03-20

公开

公开
2018-03-20

公开

公开
2018-03-20

公开

公开
2018-03-20

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种基于电极表面原位生长NiO纳米薄膜的NO [P] . 中国专利： CN107817279B . 2019.10.29
2. 一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO₂传感器 [P] . 中国专利： CN106970117B . 2019.11.12
3. In-situ oxidized NiO as electrode surface for high k MIM device [P] . 美国专利： US10475575B2 . 2019-11-12

机译：原位氧化NiO作为高k MIM器件的电极表面
4. IN-SITU OXIDIZED NiO AS ELECTRODE SURFACE FOR HIGH k MIM DEVICE [P] . 美国专利： US2015318108A1 . 2015-11-05

机译：原位氧化NiO作为高k MIM器件的电极表面
5. IN-SITU OXIDIZED NiO AS ELECTRODE SURFACE FOR HIGH k MIM DEVICE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2014088691A1 . 2014-06-12

机译：原位氧化NiO作为高k MIM器件的电极表面

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号