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一种基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料

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摘要

本发明涉及形状记忆高分子复合材料及导电材料领域，具体涉及一种具有导电网络结构的导电材料如金属纳米线、纳米粉末、碳纳米管、石墨烯、碳粉和具有自修复材料、形状记忆材料如聚氨酯制备得到的一种基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料。

公开/公告号CN106519939B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人广东工业大学;
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申请/专利号CN201610871397.0
发明设计人罗洪盛;周兴东;易国斌;王华权;俎喜红;彭军;袁圣杰;
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申请日2016-09-29
分类号C09D175/04(20060101);C09D167/04(20060101);C09D1/00(20060101);C09D5/24(20060101);G01N27/00(20060101);C08J7/06(20060101);C08J7/04(20060101);
代理机构44329 广东广信君达律师事务所;
代理人杨晓松
地址 510062 广东省广州市越秀区东风东路729号
入库时间 2022-08-23 10:42:29

1. 一种基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料 [P] . 中国专利： CN106519939B . 2019.10.29
2. 一种基于形状记忆的多重刺激传感导电高分子材料及其制备方法以及应用 [P] . 中国专利： CN106674998A . 2017-05-17
3. Biosensor arrangement e.g. for amperometric testing, has biomaterial areas provided on surface of electrode substrate made of synthetic and polymer materials among which one material is electrically conductive [P] . 德国专利： DE102005028245A1 . 2006-12-28

机译：生物传感器布置例如用于电流测试的生物材料区域设置在由合成和高分子材料制成的电极基材表面上，其中一种材料具有导电性
4. Photosensitive cell for image sensor, has anti-drilling region of N type conductivity extending from surface of substrate to another anti-drilling region of P type conductivity that extends between charge-collection zone and read node [P] . 法国专利： FR2988907A1 . 2013-10-04

机译：用于图像传感器的光敏单元具有从衬底表面延伸到电荷收集区和读取节点之间延伸的另一种P型导电性反钻孔区域的N型导电性防钻孔区域
5. Ionizing radiation sensor based on float-zone silicon with p-type conductivity [P] . 美国专利： US10797195B2 . 2020-10-06

机译：基于具有p型导电性的浮区硅的电离辐射传感器