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掩膜版异物清除方法及掩膜版异物清除装置

摘要

本发明涉及半导体元器件制造技术,尤其涉及掩膜版异物清除方法,包括:提供一具有开孔的掩膜版,其中所述掩膜版具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面;将所述掩膜版置于一预定位置;控制第一镭射模块清除所述第一表面的异物及所述开孔中的异物;控制第二镭射模块清除所述第二表面的异物。通过第一镭射模块和第二镭射模块对掩膜版的第一表面和第二表面、开孔分别进行镭射处理,去除掩膜版上的异物。采用此种方式,能够对掩膜版第二表面的异物进行去除,提高AMOLED产品的成品率。

著录项

  • 公开/公告号CN106311681B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海和辉光电有限公司;

    申请/专利号CN201510341886.0

  • 发明设计人 胡友元;

    申请日2015-06-18

  • 分类号

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人吴俊

  • 地址 201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室

  • 入库时间 2022-08-23 10:42:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B08B7/00 变更前: 变更后: 申请日:20150618

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2019-10-29

    授权

    授权

  • 2019-10-29

    授权

    授权

  • 2017-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):B08B7/00 申请日:20150618

    实质审查的生效

  • 2017-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):B08B7/00 申请日:20150618

    实质审查的生效

  • 2017-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):B08B 7/00 申请日:20150618

    实质审查的生效

  • 2017-01-11

    公开

    公开

  • 2017-01-11

    公开

    公开

  • 2017-01-11

    公开

    公开

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