首页> 中国专利> 一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法

一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于面内谐振的MEMS流体密度传感器芯片及其制备方法,包括硅基底、四个弹性固支梁和中间的振子,沿硅基底长度方向的两根导线分别布置在振子两侧的固支梁上。芯片底部外加磁铁用于提供恒定磁场,磁感线方向垂直于芯片平面,将其中一根导线通入一定频率的正弦交变电流,则这根导线所在的固支梁受交变洛伦兹力作用做面内振动,从而带动振子和另外一侧固支梁做受迫振动,则另外一根导线切割磁感线而产生感应电动势。将H型硅微双端固支梁结构浸入被测流体中,改变正弦交变电流的频率使得固支梁发生谐振,根据感应电动势的输出幅值大小可获得固支梁在被测流体中的谐振频率,通过在不同流体中固支梁谐振频率的改变来实现流体密度的测量。

著录项

  • 公开/公告号CN107271326B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201710539077.X

  • 申请日2017-07-04

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 10:41:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-11

    授权

    授权

  • 2017-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N9/24 申请日:20170704

    实质审查的生效

  • 2017-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 9/24 申请日:20170704

    实质审查的生效

  • 2017-10-20

    公开

    公开

  • 2017-10-20

    公开

    公开

  • 2017-10-20

    公开

    公开

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