一种SOI MOS管剂量率辐射SPICE宏模型建模法

摘要

本发明涉及一种SOI MOS管剂量率辐射SPICE宏模型建模法；本发明主要针对SOI MOS器件的剂量率辐射效应，利用宏模型技术将器件在各种不同条件下的辐射响应特性耦合到器件非辐射下的原始SPICE模型上，以形成包含了辐射响应的基本器件单元模型，之后通过直接调用此单元模型以及系统仿真的方式来预测整个集成电路的辐射响应特性；利用此方法可以有效地模拟所设计集成电路在特定辐射条件下的功能和性能，为抗辐射SoC设计提供参考依据，减少流片次数，极大地降低成本，加快研发周期，提高效率。