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公开/公告号CN100356477C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-12-19
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN03154496.7
发明设计人 S·吉代尔;V·尼基廷;
申请日2003-09-30
分类号G11C11/15(20060101);H01L43/00(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人李峥;于静
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 08:59:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-12-19
授权
2004-07-28
实质审查的生效
2004-05-19
公开
机译: 磁性隧道结,磁性随机存取存储器,涡流磁化状态形成方法和涡旋磁化状态切换方法
机译: 便于状态切换的加热型MRAM(磁性随机存取存储器)单元
机译: 磁性存储单元,磁性随机存取存储器以及磁性随机存取存储器中的数据读取/写入方法
机译:切换磁性随机存取存储器的相反偏置多位单元
机译:纳米环磁性隧道结及其在具有自旋极化电流切换的磁性随机存取存储器演示设备中的应用(邀请)
机译:磁性随机存取存储器中用于低功耗应用的切换方法
机译:磁性随机存取存储器中的自旋转移转矩切换磁性隧道结
机译:拨动模式磁阻随机存取存储器的磁性存储元件的切换。
机译:在顺磁性和反磁性状态之间切换的氧化还原激活的MRI造影剂
机译:具有先前负脉冲写入方案的磁性随机存取存储器的切换模式切换的宽操作余量
机译:最终报告:FG02-01ER-45906 - 一种基于磁性形状记忆合金的新型人工调制磁性多层膜