一种空间限域法合成二硫化钼单层纳米片的方法

摘要

本发明提供一种空间限域法合成二硫化钼单层纳米片的方法，包括步骤：MoS₄^2‑插层LDHs复合物的制备；将得到的MoS₄^2‑插层LDHs复合物在惰性气体保护下煅烧，得MoS₂单层纳米片/混合金属氧化物(MMO)复合物；经去除混合金属氧化物，得到MoS₂单层纳米片。本发明的方法简单，成本低，易于实现，高产率，MoS₂单层纳米片比率高，且易于工业化应用。