台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种台面式砷化镓掺硅阻挡杂质带太赫兹探测器及其制作方法，所述探测器用于探测太赫兹辐射。所述探测器包括高导砷化镓衬底，所述高导砷化镓衬底上包括环形区域和台面结构区域，所述台面结构区域设置在环形区域中间；所述环形区域内设置有环形负电极，台面结构区域的表面设置有圆形正电极。本发明的优点在于：将环形负电极制备在台面下表面，降低了光生载流子被高导砷化镓衬底中缺陷所俘获的几率，增强了光生载流子的收集效率；同时采用环形负电极结构，缩短了光生载流子的传输路径，从而降低光生载流子的复合几率，进一步增强光生载流子的收集效率。