一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于PT布拉格反射波导的高功率半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术，该装置包括InP衬底和InP包层，InP衬底和InP包层内设置有低折射率中心腔和位于低折射率中心腔两侧的PT布拉格反射光栅区；低折射率中心腔由低折射率材料包裹高折射率条波导构成，PT布拉格反射光栅区包括量子阱结构。本发明可实现高输出功率，同时该激光器具有能量转换效率(PCE)高、COD阈值高、激射阈值低、易散热等优点。