用于嵌入式非易失性存储器技术的测试线字母

摘要

本发明涉及衬底及形成方法，衬底具有用于识别集成芯片上的测试线的测试线字母，同时避免高k金属栅极工艺的污染。在一些实施例中，衬底具有半导体衬底。测试线字母结构配置在半导体衬底上方并具有在测试线字母结构的上表面和测试线字母结构的下表面之间垂直延伸的一个或多个沟槽。一个或多个沟槽配置在测试线字母结构内以在测试线字母结构的上表面中形成具有字母数字字符的形状的开口。本发明还提供了用于嵌入式非易失性存储器技术的测试线字母。