具有经改进RDS＊CGD的LDMOS晶体管及形成所述LDMOS晶体管的方法

摘要

在所描述实例中，通过以下方式来改进横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管(100)的Rds*Cgd优值FOM：形成在若干深度(D1/D2)处具有若干掺杂剂植入物的漏极漂移区域(112)，及形成在若干深度(D3/D4/D5)处具有若干掺杂剂植入物的阶梯状背栅极区域(128)以毗连所述漏极漂移区域(112)。