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基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法

摘要

本发明提供了一种基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,包括:第一步骤:根据通孔与上下层的互连关系选择出单一通孔;第二步骤:在对目标图形进行分段后,选择出互相之间受到掩模板规则限制的密集线端;第三步骤:选择线端对单一通孔包含量小于规定值的线端;第四步骤:根据第二步骤与第三步骤选定的线端进行逻辑运算,得到在光学临近修正处理中被限制的线端;第五步骤:为第四步骤确定的在光学临近修正处理中被限制的线端设定最大修正量;第六步骤:进行基于模型的光学临近修正迭代过程,得到最终光学临近修正结果。

著录项

  • 公开/公告号CN105759561B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201610326182.0

  • 申请日2016-05-17

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:39:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-17

    授权

    授权

  • 2016-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/36 申请日:20160517

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/36 申请日:20160517

    实质审查的生效

  • 2016-07-13

    公开

    公开

  • 2016-07-13

    公开

    公开

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