一种基于耦合米氏共振的超表面完全吸收体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于耦合米氏共振的大面积宽入射角超表面完全吸收体及其制备方法，所述吸收体包括SiO₂衬底，所述SiO₂衬底的上表面具有多孔阵列结构，Si层，形成在所述多孔阵列结构上，Cr层，形成在所述Si层之上，所述吸收体包括三层系统，底层是由SiO₂衬底包围的Si柱的阵列，中间层是由Si层包围的Cr柱的阵列，以及顶层是多孔阵列的Cr层。本发明所提出的耦合米氏共振的超表面完美吸收器具有良好的宽带宽角度吸收性能，器件结构简单、超薄且易于集成制作和大面积制作，在太阳能电池和薄膜工业中具有许多重大的潜在应用。