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具有形成于端部区域的反铁磁钉扎层结构的自旋阀传感器

摘要

本发明涉及一种自旋阀传感器。本发明一示例性实施例中,自旋阀传感器包括:自由层结构;主要形成在所述传感器的中央区域的包括至少第一反平行(AP)被钉扎层的AP被钉扎层结构;及形成在自由层结构和AP被钉扎层结构之间的非磁的导电间隔层。用于磁性钉扎第一AP被钉扎层的第一和第二反铁磁(AFM)钉扎层结构形成在端部区域中,但不在其中央区域。每个AFM钉扎层结构的边缘和传感器边缘分开距离DA。第一AP被钉扎层形成在中央区域和端部区域中,从而与第一和第二AFM钉扎层结构相接触。有利地,在提供了自钉扎传感器的优点(即中央区域中的传感器剖面很薄)的传感器中表现出足够的钉扎特性。

著录项

  • 公开/公告号CN1332375C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立环球储存科技荷兰有限公司;

    申请/专利号CN200510066732.1

  • 发明设计人 戴维·E·海姆;

    申请日2005-04-30

  • 分类号G11B5/39(20060101);G01R33/09(20060101);H01L43/08(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人李晓舒;魏晓刚

  • 地址 荷兰阿姆斯特丹

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:20070815 终止日期:20110430 申请日:20050430

    专利权的终止

  • 2007-08-15

    授权

    授权

  • 2006-01-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-16

    公开

    公开

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