用于精确光致抗蚀剂轮廓预测的模型

摘要

一种光致抗蚀剂模型化系统包含用于光刻工艺的数学模型。可使用计算机处理器执行所述数学模型。所述数学模型可用于将光致抗蚀剂模型化为形成于半导体晶片表面上。嵌段聚合物浓度梯度方程式可实施到所述数学模型中。所述嵌段聚合物浓度梯度方程式可描述由所述数学模型模型化的所述光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的初始浓度梯度。