公开/公告号CN105990182B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市中镓半导体科技有限公司;
申请/专利号CN201510050675.1
申请日2015-01-31
分类号
代理机构
代理人
地址 523518 广东省东莞市企石镇科技工业园
入库时间 2022-08-23 10:37:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-02
授权
授权
2016-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20150131
实质审查的生效
2016-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20150131
实质审查的生效
2016-10-05
公开
公开
2016-10-05
公开
公开
机译: III族氮化物,III族氮化物,具有表皮层的III族氮化物,III族氮化物,III族氮化物的制造方法,III族氮化物的制造方法,III族氮化物的制造方法
机译: III族氮化物,III族氮化物,具有表皮层的III族氮化物,III族氮化物,III族氮化物的制造方法,III族氮化物的制造方法,III族氮化物的制造方法
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,III族氮化物器件,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法