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氧传感器用致密障碍层和电解质层双层片体的制备方法

摘要

本发明涉及电化学氧传感器技术领域,尤其涉及氧传感器用致密障碍层和电解质层双层片体的制备方法。其中,在电解质层坯体上采用超声雾化热解喷涂工艺形成致密障碍层坯体,或在致密障碍层坯体上采用超声雾化热解喷涂工艺形成电解质层坯体,然后干燥、烧结、冷却形成致密障碍层和电解质层。该制备方法制备出的电解质层和致密障碍层双层片体中电解质层和致密障碍层的结合强度高,制备速度快,有利于大规模生产。

著录项

  • 公开/公告号CN107881492B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东北大学;

    申请/专利号CN201711233174.2

  • 申请日2017-11-30

  • 分类号

  • 代理机构北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人齐胜杰

  • 地址 110169 辽宁省沈阳市浑南区创新路195号

  • 入库时间 2022-08-23 10:37:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-09

    授权

    授权

  • 2018-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C18/12 申请日:20171130

    实质审查的生效

  • 2018-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20171130

    实质审查的生效

  • 2018-04-06

    公开

    公开

  • 2018-04-06

    公开

    公开

  • 2018-04-06

    公开

    公开

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