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在基体或坯料元件特别是由半导体材料制成的基体或坯料元件中切制出至少一个薄层的方法

摘要

本发明涉及一种从一基体或块体切制出至少一个簿层而形成一种用于电子、光电或光学元件或传感器的方法,该方法包括步骤如下:在所述元件中形成一个脆化区域,该脆化区域的厚度对应于准备被切掉的层体的厚度;以及将一个能量脉冲注入到所述元件中,所述能量脉冲的持续时间不超过声波穿过这个用来吸收所述脉冲能量的厚度区域的时间,所述脉冲能量在选择上可使所述的脆化区域产生分离。

著录项

  • 公开/公告号CN100337319C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-09-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;

    申请/专利号CN01809275.6

  • 发明设计人 M·罗什;

    申请日2001-04-17

  • 分类号H01L21/762(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;戈泊

  • 地址 法国贝尔尼

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-09-12

    授权

    授权

  • 2003-09-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-02

    公开

    公开

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