一种基于SRAM型FPGA的RAM数据可靠性加固装置及方法

摘要

一种基于SRAM型FPGA的RAM数据可靠性加固装置及方法，涉及一种基于SRAM型FPGA的片内或片外RAM存储器数据加固装置和方法。为了解决现有的存储器加固方法存在的抗辐射工艺加固费用高、存储器三模冗余硬件开销大、SRAM型FPGA设计的EDAC电路自身可靠性差等问题。本发明采用Hsiao码作为纠错码实现EDAC电路的编解码操作，能实现数据的纠一检二功能，采用缓存方式实现错误数据纠正后的回写，将处理器或外设访问双口RAM的写地址和写数据暂存于地址缓存和数据缓存中。本发明适用于SRAM型FPGA的RAM数据可靠性加固。