首页> 中国专利> 第III族氮化物晶体、其制造方法和在超临界氨气中制造块状第III族氮化物晶体的方法

第III族氮化物晶体、其制造方法和在超临界氨气中制造块状第III族氮化物晶体的方法

摘要

在一个例子中,本发明提供一种第III族氮化物晶体,其具有暴露单晶或高度定向多晶第III族氮化物的氮极性c平面的第一侧面和暴露第III族氮化物的第III族极性表面多晶相或非晶相的第二侧面。此类结构适用作用于块状第III族氮化物晶体的氨热生长的晶种。本发明还公开制造此类晶体的方法。本发明还公开使用此类晶体通过氨热方法制造第III族氮化物块状晶体的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN107002278B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201580065613.6

  • 发明设计人 桥本忠朗;

    申请日2015-12-02

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人章蕾

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-09

    授权

    授权

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/20 申请日:20151202

    实质审查的生效

  • 2017-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/20 申请日:20151202

    实质审查的生效

  • 2017-08-01

    公开

    公开

  • 2017-08-01

    公开

    公开

  • 2017-08-01

    公开

    公开

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