首页> 中国专利> 超低压气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用

超低压气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种超低压气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC涂层及其制备方法和应用,属于材料加工、机械制造领域。该方法以SiC陶瓷粉末为原料,用高能等离子将其快速加热至分解温度以上使其分解后,在超低压气氛中又通过气相在基体表面沉积形成SiC的涂层制备方法。该方法可快速气相沉积致密的SiC涂层,以价格低廉的SiC粉体为沉积源物质,沉积源物质来源便利,低成本。本发明为优越耐磨损、耐腐蚀、抗核辐射涂层,或导电涂层制备,提供了一种超低气氛下的高能高速等离子射流沉积SiC与SiC基涂层的制备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN106637037B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201610825238.7

  • 发明设计人 李长久;李成新;杨冠军;

    申请日2016-09-14

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人王霞

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-23

    授权

    授权

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C4/134 申请日:20160914

    实质审查的生效

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 4/134 申请日:20160914

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

  • 2017-05-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号