一种剥离嵌入式闪存的逻辑及SRAM区中浮栅结构的方法

摘要

本发明提出一种剥离嵌入式闪存中逻辑及SRAM区的浮栅结构的方法，所述浮栅结构位于被氧化物填满的浅沟道隔离STI之间的有源区内，自下而上包括牺牲氧化层，多晶构成的浮栅以及介电层，其特征在于，硅片在CRS光刻刻蚀后，淀积介电层，随后由N阱和P阱离子注入掩膜版替代介电浮栅剥离掩膜版，将位于所述逻辑及SRAM区的浮栅结构分别在N阱和P阱离子光刻注入时剥离，同时保留cell区的浮栅结构。为提高竞争力，降低制造成本，本发明在同等技术指标下，减少掩膜版层数，同时又减少光刻次数，利用现有掩膜版替代介电浮栅剥离掩膜版实现剥离嵌入式闪存的逻辑以及SRAM区的浮栅结构,通过这种直接有效的方法实现降低生产成本的最终目的。