氮化物半导体紫外线发光元件以及氮化物半导体紫外线发光装置

摘要

提供有效放出紫外线发光动作伴随的废热的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体紫外线发光元件具备：半导体层叠部(11)，其具备n型AlGaN层(6)、由AlGaN层构成的活性层(7)、以及p型AlGaN层(9、10)；n电极(13)；p电极(12)；保护绝缘膜(14)；以及第1镀敷电极(15)，由通过湿式镀敷法形成的铜或以铜为主成分的合金构成，在该氮化物半导体紫外线发光元件中，在第1区域(R1)形成半导体层叠部(11)，在其上表面形成p电极，在第2区域中n型AlGaN系半导体层(6)的上表面露出，在其上形成n电极(13)，保护绝缘膜(14)具有开口部以使n电极(13)的至少一部分和p电极(12)的至少一部分露出，第1镀敷电极(15)与n电极(13)的露出面分离，被形成为覆盖第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、以及与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分。