U.S. Army Research Laboratory, Sensors Electron Devices Directorate, AMSRL-SE-EM, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, MD 20783;
femtosecond; luminescence downconversion; GaN; InAlGaN; AlN; multiple quantum well; carrier localization; carrier lifetime; compositional fluctuations; polarization; non-polar; radiative efficiency; nonradiative recombination;
机译:具有在硅上整体生长的氮化铝纳米线的表面发射,高效近真空紫外光源
机译:氮化铝纳米线发光二极管:打破深紫外光源的基本瓶颈
机译:通过使用改进的后端光导结构,提高了互补金属氧化物半导体热载流子光源的光提取效率
机译:使光,不热:朝向更高效率的氮化物半导体紫外光光源
机译:改进了III族氮化物可见光和紫外发光二极管的性能,包括提取效率,电效率,热管理和高电流密度下的效率维持。
机译:氮化铝纳米线发光二极管:打破深紫外光源的基本瓶颈
机译:氮化铝纳米线发光二极管:打破深紫外光源的基本瓶颈
机译:通过alGaN合金和活性区域的载流子定位实现高效率发光:为物镜力战士提供可行的紫外光源