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功率半导体器件损耗特性的测试平台及测试方法

摘要

本发明提供了一种功率半导体器件损耗特性的测试平台及测试方法,包括:直流供电模块,用于根据给定参考电压向被测模块提供电能;被测模块包括至少一个被测单元,被测单元用于模拟功率半导体器件的工作状态;驱动模块,用于根据总控制模块输出的开关状态信号控制被测单元中功率半导体器件的开关状态;测量模块,用于检测被测单元中的功率半导体器件及对应的负载模块的电气状态、温度状态;总控制模块,用于对测量模块测得的结果进行分析并控制整个测试平台,获得被测单元中功率半导体器件的损耗特性。本发明可实现多个功率半导体器件接近真实工作状态下的开关以及通态特性测试,并且可对电流、电压以及温度等多个测试条件进行设置。

著录项

  • 公开/公告号CN107632205B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201710802347.1

  • 发明设计人 马柯;朱晔;

    申请日2017-09-07

  • 分类号G01R27/26(20060101);

  • 代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人徐红银

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 10:35:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-05

    授权

    授权

  • 2018-02-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R27/26 申请日:20170907

    实质审查的生效

  • 2018-02-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/26 申请日:20170907

    实质审查的生效

  • 2018-01-26

    公开

    公开

  • 2018-01-26

    公开

    公开

  • 2018-01-26

    公开

    公开

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