一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置

摘要

本发明公开了一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置，包括，外部的炉体以及内部的同轴坩埚，隔热屏，同轴放置于坩埚与隔热屏之间的单段式加热器，以及同轴放置于坩埚与单段式加热器之间的变截面筒状结构，用于在传导过程中沿轴线方向产生由上至下逐渐增大的热阻，进而形成均匀的轴向温度梯度，使底部的籽晶开始逐渐向上生长晶体。本发明避免了使用多段式加热时，段与段之间轴向温度与段内部轴向温度不连续、不均匀，减少此处温度起伏，进而减少孪晶的生长，且控制系统和方法简单。