一种g-C3N4量子点敏化AgVO3纳米线的制备方法

摘要

本发明属于一种g‑C₃N₄量子点敏化AgVO₃纳米线的制备方法。制备方法包括以下步骤：1）g‑C₃N₄量子点的制备，2）AgVO₃纳米线的制备，3）g‑C₃N₄敏化AgVO₃纳米线量子点的制备。本申请所述方法简单易行、操作方便、成本较低、可重复性高、产物的可见光催化活性高，在复合纳米材料的制备和应用领域有着广阔的发展前景。