在硅材料内形成的纳米结构单元及在其中完成它们的制造方法

摘要

本发明涉及在硅材料内部纳米结构形成的基本纳米级单元以及实现它们的制造方法。通过将两个Si原子有限位移至晶体基本单元外部来产生每个基本纳米级单元。通过在其中集中特定物理效应，晶体物质的局部纳米级转变得到不寻常的功能，因为它是非常有用的额外电子能级组(针对太阳光谱转换成电进行优化)。调整的能量组允许在半导体，优选硅、尤其用于非常高效的全硅光电转换器的材料中低能量二次电子产生。用于在半导体材料中产生这种转变的制造方法是基于局部能量沉积，如离子注入或电子(γ,X)束照射以及适当的热处理并且在工业上容易获得。