形成具有不同阈值电压的半导体装置的方法

摘要

用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：在第一鳍特征结构的上方形成第一栅极堆叠及在第二鳍特征结构的上方形成第二栅极堆叠；移除第一栅极堆叠以形成曝露第一鳍特征结构的第一栅极沟道，移除第二栅极堆叠以形成曝露第二鳍特征结构的第二栅极沟道；对第一鳍特征结构的一部分执行高压退火工艺；及在第一鳍特征结构的彼部分的上方的第一栅极沟道内部形成第一高介电金属栅极及在第二鳍特征结构的上方的第二栅极沟道内部形成第二高介电金属栅极。因此形成具有第一、第二阈值电压的第一、第二高介电金属栅极，第二阈值电压不同于第一阈值电压。于是，本方法在无植入工艺的不利影响、不受形成工作函数金属层的工艺约束的情况下达成阈值电压调整。