首页> 中国专利> 一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器

一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器

摘要

本发明公开了一种针对紫外光探测的量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器,以具有低暗电流和快响应速度的宽禁带半导体纳米线作为主体,然后在其表面生长具有高光电导增益的宽禁带半导体材料的量子点,量子点在整个纳米线的表面均匀分布而且彼此分散,从而得到量子点修饰的纳米线一维异质结构,同时量子点与纳米线之间需要满足II型异质结构。紫外线光电探测器包括:量子点修饰的纳米线、衬底和源漏电极,量子点修饰的纳米线的两端连接源漏电极,量子点修饰的纳米线和源漏电极均位于衬底上,形成紫外线光电探测器,本发明可通过量子点修饰纳米线来增大光电探测器对紫外光的光电导增益而同时又避免器件暗电流和响应时间增大。

著录项

  • 公开/公告号CN106910786B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201710158556.7

  • 发明设计人 沈国震;娄正;李禄东;

    申请日2017-03-16

  • 分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/109(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 10:34:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-31

    授权

    授权

  • 2017-07-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20170316

    实质审查的生效

  • 2017-07-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20170316

    实质审查的生效

  • 2017-06-30

    公开

    公开

  • 2017-06-30

    公开

    公开

  • 2017-06-30

    公开

    公开

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