SiC纳米线紫外光探测器光电性能的研究

摘要

基于一束高取向排列的SiC纳米线,本文制备了一种新型的紫外光探测器,并测试研究了其光电性能。采用传统化学气相沉积技术,以二茂铁为催化剂,通过聚合物热解的方法制备了长度达数厘米、直径为100~200 nm的SiC纳米线。探测器由导电银浆固定一束高取向排列的SiC纳米线到器件基座两个引脚上形成,其光电性能测试研究表明,器件暗电流很小、并且在254 nm紫外光照射时,其光电流迅速变大;器件反应时间很短而回复时间相对较长。