Optical and electrical properties of 4H-SiC UV photodetector at various temperatures

摘要

随着空间科学的发展，航空航天及太空环境监测等领域要求光电探测器能够在较宽的温度范围内保持良好的性能，然而半导体器件的性能受温度的影响很大，因此研究光电探测器的光电特性随温度变化特点，尤其是低温下的变化特点具有重要的理论和实际意义。用4H-SiC制备的紫外光电探测器在室温下表现出优良的紫外探测性能，本文介绍了在300-60K温度范围内，4H-SiC紫外光电探测器的暗电流和相对光谱响应随温度的变化特性。 将被测探测器置于由液氦制冷的闭循环冷却系统，调节温度从300K逐渐降低到60K。当探测器温度恢复到室温时，被测探测器未出现损坏，仍能够正常工作。 实验观察到随着温度的降低，探测器的暗电流和相对...