嵌入PIP电容的CMOS制作方法

摘要

本发明提供一种嵌入PIP电容的CMOS制作方法，该方法包括：在衬底表面内形成阱区，并定义位于阱区内的有源区，在有源区以外的衬底表面上形成场氧化层；在场氧化层靠近外围的部分区域表面上形成第一多晶硅层，并去除有源区表面上的垫氧化层；在整个器件的表面上形成介电层；注入阈值离子，形成有源区对应的衬底表面内的注入区；对介电层进行刻蚀，保留位于第一多晶硅层上的介电层；在有源区对应的衬底表面上形成栅氧化层，并在介电层和栅氧化层的部分区域表面上形成第二多晶硅层；在衬底表面上形成围绕第一多晶硅层和围绕第二多晶硅层的侧墙，并形成器件的源区、漏区以及轻掺杂漏区LDD。避免了传统工艺对阈值离子分布造成的影响，提高了器件的性能。