新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法

摘要

本发明涉及新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法，其中，提供形成具有低掺杂与高掺杂活性部分的FinFET鳍及/或具有斜型侧壁的FinFET鳍以供Vt调整及多Vt形态用的方法及其产生的装置。具体实施例包括形成Si鳍，Si鳍具有顶端活性部分及底端活性部分；在Si鳍的顶端表面上形成硬罩；在Si鳍的对立侧上形成氧化层；将掺质植入Si鳍；使氧化层凹陷以显露Si鳍的活性顶端部分；蚀刻Si鳍的顶端活性部分以形成垂直侧壁；形成包覆各垂直侧壁的氮化物间隔物；使凹陷的氧化层凹陷以显露Si鳍的活性底端部分；以及斜削Si鳍的活性底端部分。