法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-04
授权
授权
2016-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/115 申请日:20160511
实质审查的生效
2016-10-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20160511
实质审查的生效
2016-09-28
公开
公开
2016-09-28
公开
公开
机译: 氧化物,氧化铈,氧化pro的晶体生长方法,氧化物的多层结构,场效应晶体管的制造方法,铁电非易失性存储器和铁电非易失性存储器的制造方法
机译: 氧化物,氧化铈,氧化pro的晶体生长方法,氧化物的多层结构,场效应晶体管的制造方法,铁电非易失性存储器和铁电非易失性存储器的制造方法
机译: 用于非易失性铁电存储器的存储器单元,具有多个这些单元的非易失性铁电存储器,用于其的字线驱动器以及用于制备这些单元的方法