首页> 中国专利> 一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法

一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法

摘要

本发明属于有机光电材料技术领域,公开了一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法。所述倒置型底发射有机发光二极管依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极顺次连接组成。所述有机异质结电荷产生层是由p型有机半导体和n型有机半导体组成的双层有机半导体异质结或两种有机半导体混合的体异质结。本发明采用有机半导体异质结作为电子注入层,解决了倒置型底发射OLED的电子注入问题,使制备的倒置型底发射OLED显示了高效率的特点,简化了器件结构和工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN107123742B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201710337539.X

  • 申请日2017-05-15

  • 分类号H01L51/50(20060101);H01L51/56(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗啸秋

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-14

    授权

    授权

  • 2017-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20170515

    实质审查的生效

  • 2017-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/50 申请日:20170515

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    公开

    公开

  • 2017-09-01

    公开

    公开

  • 2017-09-01

    公开

    公开

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