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基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法

摘要

本发明公开了基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法,该圆偏振起偏器包括一基底、三反射式纳米砖阵列和一透射式纳米砖阵列;基底的一侧面的上部和下部分别有一反射式纳米砖阵列,与该一侧面相对的另一侧面的上部和中部分别有一透射式纳米砖阵列和一反射式纳米砖阵列;反射式纳米砖阵列由在基底上周期性排列的反射式纳米砖阵列单元构成;反射式纳米砖阵列单元由在基底上等间距排列成一行的若干方向角不同的电介质纳米砖构成;透射式纳米砖阵列由在基底上排列成阵列的电介质纳米砖构成。本发明可将一束随机偏振态的入射光,高效转换为两束旋向相同且传播方向不变的圆偏光;同时,本发明还具有低损耗、易制造、结构紧凑、宽带适用等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN107884865B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN201711185924.3

  • 申请日2017-11-23

  • 分类号G02B5/30(20060101);G02B1/00(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张火春

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-10

    授权

    授权

  • 2018-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/30 申请日:20171123

    实质审查的生效

  • 2018-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 5/30 申请日:20171123

    实质审查的生效

  • 2018-04-06

    公开

    公开

  • 2018-04-06

    公开

    公开

  • 2018-04-06

    公开

    公开

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