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金属硬掩模组合物和用于在半导体基底上形成精细图案的方法

摘要

本发明涉及具有改进的稳定性的新的组合物,其包含可溶性多配体取代的金属化合物、多元醇化合物和溶剂,其用于将材料填充在具有微光刻特征的良好沟槽或通孔填充特性的光致抗蚀剂图案上,其中填充图案在基于氧的等离子体中具有良好的耐等离子体蚀刻性,并且用作在半导体基底上形成精细图案中的硬掩模,所述精细图案通过该硬掩模的图案转移形成。本发明还涉及在用于制造电子器件的方法中使用该组合物。

著录项

  • 公开/公告号CN107251203B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AZ电子材料卢森堡有限公司;

    申请/专利号CN201680009834.6

  • 申请日2016-02-02

  • 分类号H01L21/312(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人陈晰

  • 地址 卢森堡卢森堡L-1648纪尧姆二世广场46号

  • 入库时间 2022-08-23 10:32:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-17

    授权

    授权

  • 2018-03-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/312 申请日:20160202

    实质审查的生效

  • 2018-03-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/312 申请日:20160202

    实质审查的生效

  • 2017-10-13

    公开

    公开

  • 2017-10-13

    公开

    公开

  • 2017-10-13

    公开

    公开

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