一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法

摘要

本发明涉及一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法，包括以下步骤：将生长衬底所在管式炉高温区的温度加热到第一预设温度并保温一段时间，生成第一层单晶二硫化钼薄膜；将温度升高，在升温过程中引入少量具有轻微刻蚀作用的气体，使第一层二硫化钼薄膜停止生长并修复其表面缺陷；将生长衬底所在高温区的温度加热到第二预设温度并停止引入刻蚀气体，保温一段时间，使第二层单晶二硫化钼薄膜在第一层薄膜表面生长，其中，第二预设温度保温时间大于第一预设温度保温时间；最终系统自然降到室温。本发明通过这种两阶段生长法，可在生长衬底上获得大范围均匀双层二硫化钼薄膜，具有工艺简单、成本低、产率高、适合大面积生产等优点。