基于碳纳米管生长技术的气体传感器的制造方法

摘要

本发明公开了一种基于碳纳米管生长技术的气体传感器的制造方法，所述气体传感器包括绝缘基体、绝缘层、阴阳微电极阵列、阴阳电极焊接区和若干碳纳米管；绝缘层设置在绝缘基体上，阴阳微电极阵列和阴阳电极焊接区设置在绝缘层上，阴阳微电极阵列分别与阴阳电极焊接区导电连接，阴阳微电极阵列上垂直排列若干碳纳米管；所述传感器的阴阳微电极阵列和阴阳电极焊接区由显微光刻掺杂多晶硅形成，并利用阴极真空喷镀技术将用于生长碳纳米管的金属喷射到外露的阴阳微电极阵列上，然后利用化学蒸汽沉积技术在阴阳微电极阵列上生长垂直排列的碳纳米管；可以很好的控制微电极阵列的间距和形状，使其有规律的排列，提高气体传感器的精度。