首页> 中国专利> 使用不对称的自由层且适用于自旋转移矩存储器的磁性结

使用不对称的自由层且适用于自旋转移矩存储器的磁性结

摘要

描述了一种可用于磁性器件中的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层、不对称的自由层以及垂直磁各向异性(PMA)诱导层。非磁性间隔层在被钉扎层与自由层之间。自由层在非磁性间隔层与PMA诱导层之间。不对称的自由层包括具有第一硼含量的第一铁磁层和具有第二硼含量的第二铁磁层。第二硼含量小于第一硼含量。第一硼含量和第二硼含量每个大于零原子百分比。该磁性结被配置为使得在写电流通过该磁性结时自由层在多个稳定的磁态之间可切换。

著录项

  • 公开/公告号CN105244436B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201510388393.2

  • 发明设计人 李将银;唐学体;

    申请日2015-07-03

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人屈玉华

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 10:30:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-07

    授权

    授权

  • 2017-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/08 申请日:20150703

    实质审查的生效

  • 2017-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20150703

    实质审查的生效

  • 2016-01-13

    公开

    公开

  • 2016-01-13

    公开

    公开

  • 2016-01-13

    公开

    公开

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