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一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法

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本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源，将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高即纯度更高。本发明制得的GeTe合金薄膜的电阻在1.4～4*10

著录项

公开/公告号CN107142459B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人江南大学;
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申请/专利号CN201710255160.4
发明设计人丁玉强;杜树雷;杜立永;
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申请日2017-04-19
分类号
代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;
代理人张勇
地址 214122 江苏省无锡市蠡湖大道1800号
入库时间 2022-08-23 10:30:40

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-23

授权

授权
2017-10-10

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/18 申请日:20170419

实质审查的生效
2017-10-10

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/18 申请日:20170419

实质审查的生效
2017-09-08

公开

公开
2017-09-08

公开

公开
2017-09-08

公开

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1. 一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN107142459B . 2019.04.23
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