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采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源及制备方法

摘要

本发明公开了采用温度敏感的纳米线冷阴极的平板X射线源及制备方法,所述平板X射线源,包括阴极基板、阳极基板、高压绝缘隔离体;所述阴极基板和阳极基板平行相对设置,所述高压绝缘隔离体设置于阴极基板和阳极基板的边缘,并且高压绝缘隔离体、阴极基板、阳极基板围合形成一空腔;所述阴极基板朝向阳极基板的一侧设置有纳米线冷阴极,所述纳米线冷阴极为氧化锌、氧化铜、氧化钨、氧化钼、氧化铁、氧化钛或者氧化锡纳米线。相对于现有技术,本发明的平板X射线源,通过控制纳米线冷阴极的温度,在不改变平板X射线源的阴极基板和阳极基板间距的情况下,实现对平板X射线源工作电压、电流和辐射剂量率的调控,降低了平板X射线源电流调节的局限性,拓宽了平板X射线源的应用范围。

著录项

  • 公开/公告号CN106298409B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201610824446.5

  • 申请日2016-09-14

  • 分类号H01J35/06(20060101);H01J9/00(20060101);

  • 代理机构44100 广州新诺专利商标事务所有限公司;

  • 代理人林玉芳;华辉

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 10:30:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-03

    授权

    授权

  • 2017-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J35/06 申请日:20160914

    实质审查的生效

  • 2017-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 35/06 申请日:20160914

    实质审查的生效

  • 2017-01-04

    公开

    公开

  • 2017-01-04

    公开

    公开

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