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一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法

摘要

一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法,根据要求制作的微透镜阵列的尺寸设计制作二元掩模,对光刻胶进行两次涂胶,进行60℃-75℃低温、50min-90min长时间前烘,并将二元掩模经光学系统投影在经过涂胶和前烘工艺后的光刻胶上,然后采用移动掩模法进行曝光,即在曝光过程中移动掩模,再经过显影、漂洗及由70℃低温连续升温至120℃高温、90min-120min长时间后烘培,得到微透镜阵列。本发明所需的曝光时间极短(几十秒到几百秒),比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级,并且不需购置昂贵的设备,节约了制作成本,而且利用该方法制作的连续微透镜阵列,其组成微透镜阵列的透镜单元之间不存在死区,故填充因子接近100%。

著录项

  • 公开/公告号CN100343698C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-10-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN03123567.0

  • 发明设计人 张晓玉;潘丽;杜春雷;

    申请日2003-05-29

  • 分类号G02B3/08(20060101);G03F7/00(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人刘秀娟

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-08-05

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2007-10-17

    授权

    授权

  • 2006-06-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-12-08

    公开

    公开

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