大面积p－n结纳米硅线阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种属于纳米材料制备技术领域的纳米硅线阵列及其制备方法。其特征是纳米硅线阵列中的硅纳米线具有p-n结结构，所述制备方法为：配制氢氟酸和硝酸银溶液反应溶液；将经过清洗液超声清洗过的p-n结硅片浸入反应溶液的水热反应釜中并在30-60℃处理30-60分钟；冷却后取出硅片，把硅片表面疏松的银薄膜去掉后，经去离子水清洗和浸泡，自然晾干。在反应溶液中，也可加入硝酸镍。由于本制备方法条件简单，低温制备，因而成本低，节能，所制备的p-n结纳米硅线阵列具有典型的整流效应，在微电子和纳电子行业具有重要的应用前景。