公开/公告号CN100341172C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-03
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN200510029698.0
申请日2005-09-15
分类号H01M4/00(20060101);H01M10/40(20060101);H01M4/04(20060101);B22F1/00(20060101);B22F3/02(20060101);C23C14/22(20060101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞;盛志范
地址 200433 上海市邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 08:59:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/00 授权公告日:20071003 终止日期:20100915 申请日:20050915
专利权的终止
2007-10-03
授权
授权
2006-08-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-06-28
公开
公开
机译: 制造锡硒化薄膜的制造方法,使用相同的相同和热电材料制造的锡硒化薄膜
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机译: 具有电化学沉积的具有亚微结构的钒二氧化钒薄膜的制备方法和使用相同方法制备的钒二氧化钒薄膜的制备方法